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首页 全部分类 MGSF1N03LT1G vs MCH3475-TL-E

MGSF1N03LT1G备选型号: MCH3475-TL-E

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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • 元素配置
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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • ON Semiconductor
    MGSF1N03LT1G
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 30V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    24 Weeks
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    3
    SILICON
    1.6A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1998
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    80MOhm
    Tin (Sn)
    30V
    DUAL
    鸥翼
    750mA
    3
    Single
    增强型MOSFET
    730mW
    2.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    100m Ω @ 1.2A, 10V
    2.4V @ 250μA
    140pF @ 5V
    1ns
    ±20V
    1 ns
    2.1A
    1.7V
    20V
    30V
    1.7 V
    1.016mm
    3.0226mm
    1.397mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • ON Semiconductor
    MCH3475-TL-E
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 1.8A MCPH3
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    7 Weeks
    表面贴装
    3-SMD, Flat Lead
    YES
    3
    -
    1.8A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e6
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    180mOhm
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    -
    -
    -
    -
    3
    Single
    -
    800mW
    3.4 ns
    N-Channel
    -
    180m Ω @ 900mA, 10V
    -
    88pF @ 10V
    3.6ns
    ±20V
    4 ns
    1.8A
    -
    20V
    30V
    -
    850μm
    2mm
    1.6mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2nC @ 10V
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