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首页 全部分类 MIC4102YM vs IRS2609DSPBF

MIC4102YM备选型号: IRS2609DSPBF

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  • 终端形式
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  • 输出电压
  • 功率耗散
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  • 接通延迟时间
  • 输出峰值电流限制-名
  • 高边驱动器
  • 关断时间
  • 辐射硬化
  • Microchip Technology
    MIC4102YM
    Microchip Technology
    IC DRIVER MOSFET 100V TTL 8SOIC
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    8-SOIC
    Half-Bridge
    -40°C~125°C TJ
    Tube
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    125°C
    -40°C
    9V~16V
    MIC4102
    2
    3A
    1
    16V
    9V
    3mA
    3A
    Non-Inverting
    10ns
    6 ns
    330ns 200ns
    Synchronous
    2
    N-Channel MOSFET
    2A 3A
    118V
    1.48mm
    4.93mm
    3.94mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRS2609DSPBF
    Infineon Technologies
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    1996
    Obsolete
    2 (1 Year)
    -
    -
    -
    10V~20V
    IRS2609DSPBF
    1
    350mA
    -
    -
    -
    2mA
    200mA
    Non-Inverting
    220ns
    80 ns
    150ns 50ns
    Synchronous
    2
    IGBT, N-Channel MOSFET
    200mA 350mA
    600V
    1.5mm
    5mm
    3.9878mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    e3
    8
    EAR99
    200Ohm
    Matte Tin (Sn)
    625mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    15V
    30
    620V
    625mW
    1.1 μs
    60 ns
    0.2A
    YES
    0.4 μs
    无
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