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MJ15022G备选型号: MJ21196G

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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
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  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • ON Semiconductor
    MJ15022G
    ON Semiconductor
    16 A, 200 V, NPN Bipolar Power Transistor
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    2 Weeks
    通孔
    TO-204AA, TO-3
    NO
    2
    4.535924g
    SILICON
    200V
    1.4V
    -65°C~200°C TJ
    Tray
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    200V
    250W
    BOTTOM
    PIN/PEG
    16A
    4MHz
    2
    Single
    250W
    COLLECTOR
    AMPLIFIER
    4MHz
    NPN
    NPN
    200V
    16A
    15 @ 8A 4V
    500μA
    4V @ 3.2A, 16A
    4MHz
    350V
    5V
    8.51mm
    39.37mm
    26.67mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MJ21196G
    ON Semiconductor
    TRANS NPN 250V 16A TO3
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    6 Weeks
    通孔
    TO-204AA, TO-3
    NO
    2
    4.535924g
    SILICON
    250V
    1.4V
    -65°C~200°C TJ
    Tray
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    250V
    250W
    BOTTOM
    PIN/PEG
    16A
    4MHz
    2
    Single
    250W
    COLLECTOR
    AMPLIFIER
    4MHz
    NPN
    NPN
    250V
    16A
    25 @ 8A 5V
    100μA
    4V @ 3.2A, 16A
    4MHz
    400V
    5V
    6.35mm
    6.35mm
    6.35mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    260
    40
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