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首页 全部分类 MJD112-1G vs 2SC4135T-E

MJD112-1G备选型号: 2SC4135T-E

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 极性
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 频率转换
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 连续集电极电流
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 功率 - 最大
  • ON Semiconductor
    MJD112-1G
    ON Semiconductor
    Trans Darlington NPN 100V 2A Automotive 3-Pin(3 Tab) IPAK Rail
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    8 Weeks
    Tin
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    NO
    4
    SILICON
    100V
    2V
    -65°C~150°C TJ
    Tube
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    100V
    20W
    260
    2A
    40
    MJD112
    4
    R-PSIP-T3
    NPN
    Single
    1.75W
    COLLECTOR
    SWITCHING
    无卤素
    NPN - Darlington
    100V
    2A
    1000 @ 2A 3V
    20μA
    3V @ 40mA, 4A
    25MHz
    25MHz
    100V
    5V
    2A
    6.22mm
    6.73mm
    2.38mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • ON Semiconductor
    2SC4135T-E
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    2 Weeks
    -
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    -
    3
    -
    100V
    -
    150°C TJ
    Bulk
    2012
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    1W
    -
    -
    -
    2SC4135
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    NPN
    100V
    2A
    200 @ 100mA 5V
    100nA ICBO
    400mV @ 100mA, 1A
    -
    120MHz
    120V
    -6V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    1W
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