MJE171G备选型号: BD138G
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 极性
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 最大击穿电压
- TRANS PNP 60V 3A TO225AAACTIVE (Last Updated: 1 week ago)2 Weeks通孔TO-225AA, TO-126-3NO34.535924gSILICON60V1.7V-65°C~150°C TJBulk2000e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)-60V1.5W260-3A50MHz40MJE1713Single12.5W1.5WSWITCHING50MHzPNPPNP60V3A50 @ 100mA 1V100nA ICBO1.7V @ 600mA, 3A50MHz80V7V11.0998mm7.7978mm2.9972mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-------
- 1.5 A, 60 V PNP Bipolar Power TransistorACTIVE (Last Updated: 3 days ago)5 Weeks通孔TO-225AA, TO-126-3-3--60V500mV-55°C~150°C TJBulk2001--活跃1 (Unlimited)----60V1.25W--1.5A--BD138-Single1.25W1.25W---PNP60V1.5A40 @ 150mA 2V100nA ICBO500mV @ 50mA, 500mA50MHz60V5V11.04mm7.74mm2.66mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅TinTO-225AA150°C-55°CPNP60V60V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2N4919G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-225AA, TO-126-3 | TRANSISTOR,PNP,60V,1A,TO-225 | 对比 |
![]() | BD138G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-225AA, TO-126-3 | 1.5 A, 60 V PNP Bipolar Power Transistor | 对比 |



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