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首页 全部分类 MJE271G vs BD682G

MJE271G备选型号: BD682G

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  • 生命周期状态
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 频率
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 极性
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 无卤素
  • 增益带宽积
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 连续集电极电流
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 基本部件号
  • 晶体管应用
  • ON Semiconductor
    MJE271G
    ON Semiconductor
    Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
    通孔
    TO-225AA, TO-126-3
    NO
    3
    4.535924g
    SILICON
    1
    -65°C~150°C TJ
    Bulk
    2006
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -100V
    1.5W
    260
    -2A
    6MHz
    40
    3
    PNP
    Single
    1.5W
    无卤素
    6MHz
    PNP - Darlington
    100V
    2A
    1500 @ 120mA 10V
    1mA
    3V @ 1.2mA, 120mA
    6MHz
    30V
    100V
    5V
    5A
    6.35mm
    6.35mm
    6.35mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    BD682G
    ON Semiconductor
    TRANS PNP DARL 100V 4A TO225AA
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    通孔
    TO-225AA, TO-126-3
    NO
    3
    4.535924g
    SILICON
    100V
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    1995
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -100V
    40W
    260
    4A
    -
    40
    3
    PNP
    Single
    40W
    无卤素
    -
    PNP - Darlington
    100V
    4A
    750 @ 1.5A 3V
    500μA
    2.5V @ 30mA, 1.5A
    -
    -
    100V
    5V
    4A
    6.35mm
    6.35mm
    6.35mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    10 Weeks
    Tin
    2.5V
    BD682
    AMPLIFIER
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