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首页 全部分类 MJE5731AG vs 2N6111G

MJE5731AG备选型号: 2N6111G

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  • 安装类型
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  • 表面安装
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  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 频率
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • JEDEC-95代码
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 端子表面处理
  • 基本部件号
  • ON Semiconductor
    MJE5731AG
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - MJE5731AG - Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 375 V, 10 MHz, 2 W, 1 A, 10 hFE
    ACTIVE (Last Updated: 13 hours ago)
    8 Weeks
    Tin
    通孔
    TO-220-3
    NO
    3
    4.535924g
    SILICON
    375V
    -65°C~150°C TJ
    Tube
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    可提供引线框架选项
    -375V
    40W
    260
    -1A
    10MHz
    40
    3
    Single
    2W
    COLLECTOR
    40W
    SWITCHING
    10MHz
    PNP
    PNP
    375V
    1A
    30 @ 300mA 10V
    1mA
    TO-220AB
    1V @ 200mA, 1A
    10MHz
    350V
    5V
    6.35mm
    6.35mm
    6.35mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    2N6111G
    ON Semiconductor
    Trans GP BJT PNP 30V 7A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Rail
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    2 Weeks
    -
    通孔
    TO-220-3
    NO
    3
    -
    SILICON
    30V
    -65°C~150°C TJ
    Tube
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    可提供引线框架选项
    -30V
    40W
    260
    -7A
    10MHz
    40
    3
    Single
    40W
    COLLECTOR
    -
    SWITCHING
    10MHz
    PNP
    PNP
    30V
    7A
    30 @ 3A 4V
    1mA
    TO-220AB
    3.5V @ 3A, 7A
    10MHz
    40V
    5V
    15.75mm
    10.28mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3.5V
    Tin (Sn)
    2N6111
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