MMBT2907A-G备选型号: 2SA1313-Y,LF
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 连续集电极电流
- 关断时间-最大值(toff)
- 接通时间-最大值(ton)
- RoHS状态
- 供应商器件包装
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 极性
- 增益带宽积
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 最大击穿电压
- 频率转换
- 集电极基极电压(VCBO)
- 高度
- 长度
- 宽度
- TRANS PNP 60V 0.6A SOT-2310 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-31.437803gSILICON60V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2006e3活跃1 (Unlimited)3Tin (Sn)350mWDUAL鸥翼未说明200MHz未说明R-PDSO-G3Single250mWSWITCHINGPNPPNP1.6V600mA100 @ 150mA 10V20nA ICBO1.6V @ 50mA, 500mA200MHz-5V-600mA285ns35nsROHS3 Compliant-------------
- Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 3-Pin S-Mini Embossed T/R12 Weeks表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3--50V150°C TJTape & Reel (TR)2014-活跃1 (Unlimited)--200mW-------200mW--PNP250mV500mA120 @ 100mA 1V100nA ICBO250mV @ 10mA, 100mA--5V-500mA--符合RoHS标准S-Mini-100mV150°C-55°CPNP200MHz50V50V200MHz-50V1.1mm2.9mm1.5mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SA1162-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI | 对比 | |
| DTA144GKAT146 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | TO-236-3 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 | 对比 | |
![]() | 2PB710AS,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PNP 50V 0.5A SC59 | 对比 |




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