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1

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10

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100

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500

￥0.947895
1000

￥0.894238

Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162-GR,LF

Name: 2SA1162-GR,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2541-2SA1162-GR,LF
Price: 1.13 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

2SA1162-GR,LF

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-2SA1162-GR,LF

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI

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2SA1162-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI

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2SA1162-GR,LF详情

技术参数

型号对比

Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162-GR,LF重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

12 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
质量

7.994566mg
Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V
Collector-Emitter Saturation Voltage

100mV
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

80MHz
Power Dissipation (Max)

150mW
hFEMin

70
操作温度

125°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2011
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
ECCN 代码

EAR99
Reach合规守则

unknown
基本部件号

2SA1162
元素配置

Single
功率 - 最大

150mW
晶体管类型

PNP
集电极发射器电压(VCEO)

50V
最大集电极电流

150mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 2mA 6V
最大集极截止电流

100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 10mA, 100mA
最大击穿电压

50V
集电极基极电压(VCBO)

50V
发射极基极电压 (VEBO)

5V
RoHS状态

符合RoHS标准

0个相似型号

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