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首页 全部分类 MMBTA56LT1G vs MMBTA55LT1G

MMBTA56LT1G备选型号: MMBTA55LT1G

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  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
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  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 频率
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  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 类型
  • ON Semiconductor
    MMBTA56LT1G
    ON Semiconductor
    TRANS PNP 80V 0.5A SOT23
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    4 Weeks
    Tin
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    3
    SILICON
    -80V
    -250mV
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -80V
    225mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    -500mA
    50MHz
    40
    MMBTA56
    3
    Single
    300mW
    225mW
    AMPLIFIER
    50MHz
    PNP
    PNP
    80V
    500mA
    100 @ 100mA 1V
    100nA ICBO
    250mV @ 10mA, 100mA
    50MHz
    80V
    80V
    4V
    1.016mm
    3.0226mm
    1.397mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • ON Semiconductor
    MMBTA55LT1G
    ON Semiconductor
    ON Semi MMBTA55LT1G PNP Bipolar Transistor; 0.5 A; 60 V; 3-Pin SOT-23
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    4 Weeks
    Tin
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    3
    SILICON
    60V
    -250mV
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -60V
    225mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    -500mA
    50MHz
    40
    MMBTA55
    3
    Single
    300mW
    225mW
    AMPLIFIER
    50MHz
    -
    PNP
    60V
    500mA
    100 @ 100mA 1V
    100nA
    250mV @ 10mA, 100mA
    50MHz
    60V
    60V
    4V
    1.01mm
    3.04mm
    1.4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    通用型
  • 添加型号
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