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首页 全部分类 MMDS20254HT1 vs HMC382LP3E

MMDS20254HT1备选型号: HMC382LP3E

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  • 最大功率耗散
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  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 工作电源电压
  • 电源
  • 通道数量
  • 测试频率
  • 工作电源电流
  • 增益
  • 射频/微波器件类型
  • 特性阻抗
  • 噪声图
  • P1dB
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    MMDS20254HT1
    NXP USA Inc.
    RF Amplifier DRTY ALGN MOD 2G 6X6-3
    14 Weeks
    表面贴装
    32-VFQFN Exposed Pad
    YES
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    32
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    8542.39.00.01
    QUAD
    无铅
    260
    5V
    0.5mm
    1.8GHz~2.2GHz
    40
    S-PQCC-N32
    先进的Doherty校准模块
    电信电路
    Cellular
    6mm
    0.9mm
    6mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Analog Devices Inc.
    HMC382LP3E
    Analog Devices Inc.
    IC RF AMP GP 1.7GHZ-2.2GHZ 16QFN
    8 Weeks
    表面贴装
    16-VFQFN Exposed Pad
    YES
    Strip
    -
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    16
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1.7GHz~2.2GHz
    -
    -
    -
    -
    通用型
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    PRODUCTION (Last Updated: 1 week ago)
    16
    57.09594mg
    no
    85°C
    -40°C
    SMA, LOW NOISE
    451mW
    1
    COMPONENT
    HMC382
    16
    5V
    5V
    1
    1.8GHz
    67mA
    17dB
    窄带低功耗
    50Ohm
    1dB
    16dBm
    含铅
  • 添加型号
RF/IF，射频/中频和 RFID相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
HMC382LP3ETR HMC382LP3ETR Analog Devices Inc. 射频放大器 16-VFQFN Exposed Pad IC MMIC AMP LNA HI IP3 16-QFN 对比
MMG3004NT1 MMG3004NT1 NXP USA Inc. 射频放大器 16-PowerQFN RF TRANSISTOR, PQFN 对比
HMC382LP3E HMC382LP3E Analog Devices Inc. 射频放大器 16-VFQFN Exposed Pad IC RF AMP GP 1.7GHZ-2.2GHZ 16QFN 对比