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MMFT2N02ELT1备选型号: FDFS2P102

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  • 引脚数量
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  • 场效应管类型
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 操作温度
  • 功率耗散
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    MMFT2N02ELT1
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 1.6A SOT223
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    8
    SILICON
    1.6A Ta
    Digi-Reel®
    2004
    e0
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    4
    EAR99
    逻辑电平兼容
    20V
    800mW
    DUAL
    鸥翼
    not_compliant
    2A
    4
    R-PDSO-G4
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    150m Ω @ 800mA, 5V
    2V @ 1mA
    580pF @ 15V
    20nC @ 5V
    73ns
    1.6A
    0.15Ohm
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDFS2P102
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    3.3A Ta
    Tape & Reel (TR)
    2000
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -20V
    -
    -
    -
    -
    -3.3A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    P-Channel
    -
    125m Ω @ 3.3A, 10V
    2V @ 250μA
    270pF @ 10V
    10nC @ 10V
    7ns
    3.3A
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    -55°C~150°C TJ
    2W
    ±20V
    7 ns
    -1.4V
    20V
    -20V
    Schottky Diode (Isolated)
    无SVHC
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