MMIX1F160N30T备选型号: ECH8659-M-TL-H

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 包装/外壳
  • 底架
  • 安装类型
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 最大功率耗散
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    MOSFET SMPD MOSFETs Power Device
    30 Weeks
    24-PowerSMD, 21 Leads
    表面贴装
    表面贴装
    21
    SILICON
    1
    5V @ 8mA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    21
    EAR99
    雪崩 额定
    DUAL
    鸥翼
    Single
    增强型MOSFET
    570W
    ISOLATED
    34 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    20m Ω @ 60A, 10V
    2800pF @ 25V
    335nC @ 10V
    300V
    ±20V
    102A
    20V
    0.02Ohm
    440A
    300V
    3000 mJ
    5.7mm
    25.25mm
    23.25mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin ECH T/R
    -
    8-SMD, Flat Lead
    表面贴装
    表面贴装
    8
    -
    43 ns
    -
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2013
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    10 ns
    2 N-Channel (Dual)
    -
    24m Ω @ 3.5A, 10V
    710pF @ 10V
    11.8nC @ 10V
    30V
    -
    7A
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    1.5W
    无卤素
    25ns
    25 ns
    Logic Level Gate, 4V Drive
    无铅
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