IXYS MMIX1F160N30T

工厂交货时间

30 Weeks

包装/外壳

24-PowerSMD, 21 Leads

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

引脚数

21

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

570W Tc

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

102A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Turn Off Delay Time

90 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 8mA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™

已出版

2012

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

21

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

570W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

34 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

20m Ω @ 60A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2800pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

335nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

300V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

102A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.02Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

440A

DS 击穿电压-最小值

300V

雪崩能量等级（Eas）

3000 mJ

高度

5.7mm

长度

25.25mm

宽度

23.25mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant