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MMIX1F520N075T2备选型号: IRF7759L2TRPBF
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 制造商包装标识符
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- JESD-30代码
- 配置
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 达到SVHC
Trans MOSFET N-CH Si 75V 500A 21-Pin30 Weeks表面贴装表面贴装24-PowerSMD, 21 Leads21SILICONMMIX1F520N075T2500A Tc5V @ 8mA-55°C~175°C TJTubeGigaMOS™, TrenchT2™2011yes活跃1 (Unlimited)21EAR99雪崩 额定DUAL鸥翼1Single增强型MOSFET830WISOLATED48 nsN-ChannelSWITCHING1.6m Ω @ 100A, 10V41000pF @ 25V545nC @ 10V±20V500A20V75V3000 mJ175°C5.7mm25.25mm23.25mm无ROHS3 Compliant无铅----------
MOSFET N-CH 75V DIRECTFET L812 Weeks表面贴装表面贴装DirectFET™ Isometric L811SILICON-26A Ta 375A Tc4V @ 250μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2009-活跃1 (Unlimited)9EAR99-BOTTOM---增强型MOSFET125WDRAIN18 nsN-ChannelSWITCHING2.3m Ω @ 96A, 10V12222pF @ 25V300nC @ 10V±20V26A20V75V257 mJ-508μm9.144mm7.112mm无ROHS3 Compliant无铅e1Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)R-XBCC-N9SINGLE WITH BUILT-IN DIODE87ns33 ns3V0.0023Ohm640A无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF7749L2TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | DirectFET™ Isometric L8 | MOSFET N-CH 60V DIRECTFET L8 | 对比 |
 | IRFS7730TRL7PP | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab) | MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK | 对比 |
 | NTMFS5C604NLT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN, 5 Leads | ON SEMICONDUCTOR NTMFS5C604NLT1GMOSFET Transistor, N Channel, 38 A, 60 V, 0.00093 ohm, 10 V, 2 V | 对比 |
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