ON Semiconductor NTMFS5C604NLT1G

工厂交货时间

18 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)

包装/外壳

8-PowerTDFN, 5 Leads

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.9W Ta 200W Tc

Turn Off Delay Time

60.3 ns

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

38A Ta

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.9W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

32.9 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.2m Ω @ 50A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8900pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

120nC @ 10V

上升时间

79.1ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

81.3 ns

连续放电电流(ID)

40A

阈值电压

2V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

276A

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

900A

雪崩能量等级（Eas）

776 mJ

最大结点温度（Tj）

175°C

宽度

4.9mm

长度

5.9mm

高度

1.1mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅