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首页 全部分类 MMUN2134LT1G vs MMUN2113LT1G

MMUN2134LT1G备选型号: MMUN2113LT1G

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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
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  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
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  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 最大击穿电压
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • HTS代码
  • 最大输出电流
  • 工作电源电压
  • ON Semiconductor
    MMUN2134LT1G
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR MMUN2134LT1G. TRANSISTOR, PRE-BIASED, PNP, 50V, 22/47KOHM, SOT-23
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    3
    50V
    250mV
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 0.47
    -50V
    246mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    -100mA
    40
    MMUN21**L
    3
    PNP
    Single
    246mW
    SWITCHING
    无卤素
    PNP - Pre-Biased
    50V
    100mA
    80 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 1mA, 10mA
    50V
    22 k Ω
    100mA
    47 k Ω
    1.01mm
    2.9mm
    1.3mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MMUN2113LT1G
    ON Semiconductor
    TRANS PREBIAS PNP 0.4W SOT23-3
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    3
    50V
    250mV
    Tape & Reel (TR)
    2001
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1
    -50V
    246mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    -100mA
    40
    MMUN21**L
    3
    PNP
    Single
    246mW
    SWITCHING
    无卤素
    PNP - Pre-Biased
    50V
    100mA
    80 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 300μA, 10mA
    50V
    47 k Ω
    100mA
    47 k Ω
    940μm
    2.9mm
    1.3mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    8541.21.00.95
    100mA
    50V
  • 添加型号
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