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MMUN2141LT1G备选型号: SMMUN2116LT1G
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- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 极性
- 元素配置
- 晶体管应用
- 无卤素
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
- 电阻基(R1)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 基本部件号
- 参考标准
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTORACTIVE (Last Updated: 3 days ago)4 Weeks表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3YES350VTape & Reel (TR)2013e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)150°C-55°C内置偏置电阻246mWDUAL鸥翼3PNPSingleSWITCHING无卤素PNP - Pre-Biased250mV100mA160 @ 5mA 10V500nA250mV @ 300μA, 10mA100 k Ω无ROHS3 Compliant无铅--- TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT-23ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)2 Weeks表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3YES350VTape & Reel (TR)2012e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)150°C-55°C-246mWDUAL鸥翼3PNPSingleSWITCHING无卤素PNP - Pre-Biased50V100mA160 @ 5mA 10V500nA250mV @ 1mA, 10mA4.7 k Ω无ROHS3 Compliant无铅MMUN21**LAEC-Q101
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SMMUN2116LT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT-23 | 对比 |
 | DDTA114ECA-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 | 对比 |
| MMUN2115LT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMUN Series 50 V 100 mA 10 kOhm PNP Silicon Bias Resistor Transistor - SOT-23 | 对比 |
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