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首页 全部分类 MR25H10CDFR vs 25LC1024T-I/MF

MR25H10CDFR备选型号: 25LC1024T-I/MF

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  • 底架
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  • 功能数量
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  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 电源电压-最大值(Vsup)
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  • 内存大小
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  • 座位高度(最大)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 基本部件号
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • 串行总线类型
  • 耐力
  • 写入周期时间 - 最大值
  • 写入保护
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Everspin Technologies Inc.
    MR25H10CDFR
    Everspin Technologies Inc.
    NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-VDFN Exposed Pad
    8
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tape & Reel (TR)
    2015
    活跃
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    600mW
    2.7V~3.6V
    DUAL
    未说明
    1
    3V
    1.27mm
    未说明
    8
    不合格
    3.6V
    3/3.3V
    2.7V
    SPI, Serial
    1Mb 128K x 8
    27mA
    SYNCHRONOUS
    40MHz
    10 ns
    RAM
    SPI
    8b
    8
    1 Mb
    0.000115A
    8b
    6mm
    0.9mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microchip Technology
    25LC1024T-I/MF
    Microchip Technology
    IC EEPROM 1M SPI 20MHZ 8DFN
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-VDFN Exposed Pad
    8
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tape & Reel (TR)
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    2.5V~5.5V
    DUAL
    260
    1
    5V
    1.27mm
    40
    8
    -
    5.5V
    3/5V
    2.5V
    SPI, Serial
    1Mb 128K x 8
    10mA
    -
    20MHz
    50 ns
    EEPROM
    SPI
    -
    8
    1 Mb
    0.000001A
    -
    6mm
    1mm
    ROHS3 Compliant
    -
    e3
    yes
    Matte Tin (Sn)
    200 YEARS OF DATA RETENTION; 1000000 ENDURANCE CYCLES/WORD
    25LC1024
    6ms
    SPI
    100000 Write/Erase Cycles
    6ms
    HARDWARE/SOFTWARE
    5mm
    无
  • 添加型号
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