MR25H10CDFR备选型号: CY14B101Q2-LHXI
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- 工厂交货时间
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
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- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 界面
- 内存大小
- 电源电流
- 操作模式
- 时钟频率
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 内存宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- 字长
- 长度
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 基本部件号
- 工作电源电压
- 逻辑功能
- 时间格式
- 辐射硬化
- NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM12 Weeks表面贴装表面贴装8-VDFN Exposed Pad8Non-Volatile-40°C~85°C TATape & Reel (TR)2015活跃3 (168 Hours)8EAR99600mW2.7V~3.6VDUAL未说明13V1.27mm未说明8不合格3.6V3/3.3V2.7VSPI, Serial1Mb 128K x 827mASYNCHRONOUS40MHz10 nsRAMSPI8b81 Mb0.000115A8b6mm0.9mmROHS3 Compliant无铅--------
- NVRAM NVSRAM Serial-SPI 1M-Bit 3V 8-Pin DFN EP6 Weeks表面贴装表面贴装8-WDFN Exposed Pad8Non-Volatile-40°C~85°C TATray2008活跃3 (168 Hours)8EAR991W2.7V~3.6VDUAL26013V1.27mm308-3.6V-2.7VSPI, Serial1Mb 128K x 810mA-40MHz9 nsNVSRAMSPI8b81 Mb0.005A8b6mm-ROHS3 Compliant无铅Gold, Tine4Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)CY14B1013VClockHH:MM:SS无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SST25VF016B-50-4C-QAF-T | Microchip Technology | 存储器 | 8-WDFN Exposed Pad | IC FLASH 16MBIT 50MHZ 8WSON | 对比 |
![]() | SST25PF020B-80-4C-Q3AE-T | Microchip Technology | 存储器 | 8-UFDFN Exposed Pad | Flash Memory 2.3V to 3.6V 2Mbit SPI Serial Flash | 对比 |
| CY14B101Q2-LHXI | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 8-WDFN Exposed Pad | NVRAM NVSRAM Serial-SPI 1M-Bit 3V 8-Pin DFN EP | 对比 |





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