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首页 全部分类 MR25H256MDC vs CY14B101Q2-LHXI

MR25H256MDC备选型号: CY14B101Q2-LHXI

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  • 密度
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  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 逻辑功能
  • 数据总线宽度
  • 时间格式
  • 辐射硬化
  • Everspin Technologies Inc.
    MR25H256MDC
    Everspin Technologies Inc.
    NVRAM 256Kb 3.3V 32Kx8 Serial MRAM
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-TDFN Exposed Pad
    8
    Non-Volatile
    -40°C~125°C TA
    Tray
    Automotive, AEC-Q100
    2013
    不用于新设计
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    2.7V~3.6V
    DUAL
    未说明
    1
    3.3V
    1.27mm
    未说明
    8
    不合格
    3.3V
    3.6V
    3V
    SPI, Serial
    256Kb 32K x 8
    27mA
    SYNCHRONOUS
    40MHz
    10 ns
    RAM
    SPI
    8
    256 kb
    0.00001A
    8b
    6mm
    1.05mm
    5mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Cypress Semiconductor Corp
    CY14B101Q2-LHXI
    Cypress Semiconductor Corp
    NVRAM NVSRAM Serial-SPI 1M-Bit 3V 8-Pin DFN EP
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-WDFN Exposed Pad
    8
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    -
    2008
    活跃
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    2.7V~3.6V
    DUAL
    260
    1
    3V
    1.27mm
    30
    8
    -
    3V
    3.6V
    2.7V
    SPI, Serial
    1Mb 128K x 8
    10mA
    -
    40MHz
    9 ns
    NVSRAM
    SPI
    8
    1 Mb
    0.005A
    8b
    6mm
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Gold, Tin
    e4
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    1W
    CY14B101
    Clock
    8b
    HH:MM:SS
    无
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