MR851G备选型号: MR856RLG
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 质量
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 基本部件号
- 元素配置
- 速度
- 二极管类型
- 反向泄漏电流@ Vr
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
- 工作温度 - 结点
- 最大浪涌电流
- 无卤素
- 电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
- 平均整流电流(Io)
- 正向电压
- 最大反向电压(DC)
- 平均整流电流
- 反向恢复时间
- 峰值反向电流
- 最大重复反向电压(Vrrm)
- 峰值非恢复性浪涌电流
- 反向电压
- 最大正向浪涌电流(Ifsm)
- 恢复时间
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 表面安装
- 二极管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 应用
- 附加功能
- HTS代码
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 箱体转运
- 输出电流-最大值
- 相位的数量
- Rep Pk反向电压-最大值
- JEDEC-95代码
- 最大非代表Pk前进电流
- DIODE GEN PURP 100V 3A AXIALACTIVE (Last Updated: 1 week ago)4 Weeks通孔DO-201AD, Axial2Axial4.535924gBulk2011活跃1 (Unlimited)125°C-65°CMR851SingleFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)Standard10μA @ 100V1.25V @ 3A-65°C~125°C100A无卤素100V3A1.25V100V3A300 ns10μA100V100A100V100A300 ns6.35mm6.35mm76.2mm无ROHS3 Compliant无铅-------------------------
- DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD-7 Weeks通孔DO-201AA, DO-27, Axial---Tape & Reel (TR)2000活跃1 (Unlimited)--MR856-Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)Standard10μA @ 600V1.25V @ 3A-65°C~125°C--600V3A---300ns----------ROHS3 Compliant-NOSILICON1e3yes2EAR99Tin (Sn)EFFICIENCY自由旋转二极管8541.10.00.80WIRE260not_compliant402O-PALF-W2不合格SINGLEISOLATED3A1600VDO-201AD100A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| MR851RLG | ON Semiconductor | 二极管 - 整流器 - 单 | DO-201AD, Axial | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL | 对比 | |
| MR856RLG | ON Semiconductor | 二极管 - 整流器 - 单 | DO-201AA, DO-27, Axial | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | 对比 |


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