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MR856G备选型号: MR851G

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  • 最高工作温度
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  • 极性
  • 元素配置
  • 速度
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 输出电流
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 正向电流
  • 工作温度 - 结点
  • 最大浪涌电流
  • 无卤素
  • 电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）
  • 平均整流电流（Io）
  • 正向电压
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 反向恢复时间
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 反向电压
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 恢复时间
  • 直径
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    MR856G
    ON Semiconductor
    DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
    ACTIVE (Last Updated: 13 hours ago)
    4 Weeks
    Tin
    通孔
    DO-201AA, DO-27, Axial
    2
    DO-201AD
    4.535924g
    600V
    Bulk
    2000
    活跃
    1 (Unlimited)
    125°C
    -65°C
    600V
    3A
    MR856
    Standard
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    10μA @ 600V
    3A
    1.25V @ 3A
    3A
    -65°C~125°C
    100A
    无卤素
    600V
    3A
    1.25V
    600V
    3A
    300 ns
    10μA
    600V
    100A
    600V
    100A
    300 ns
    5.3mm
    9.5mm
    9.4996mm
    76.2mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • ON Semiconductor
    MR851G
    ON Semiconductor
    DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    4 Weeks
    -
    通孔
    DO-201AD, Axial
    2
    Axial
    4.535924g
    -
    Bulk
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    125°C
    -65°C
    -
    -
    MR851
    -
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    10μA @ 100V
    -
    1.25V @ 3A
    -
    -65°C~125°C
    100A
    无卤素
    100V
    3A
    1.25V
    100V
    3A
    300 ns
    10μA
    100V
    100A
    100V
    100A
    300 ns
    -
    6.35mm
    6.35mm
    76.2mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
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