注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.508514
500
¥0.37391
1000
¥0.311593
2000
¥0.285858
5000
¥0.26716
10000
¥0.248526
15000
¥0.24035
50000
¥0.236334
ON Semiconductor MR856G
- 收藏
- 对比
MR856G
1807-MR856G
二极管 - 整流器 - 单
DO-201AA, DO-27, Axial
大陆
立即发货

DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MR856G详情
ON Semiconductor MR856G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 13 hours ago)
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
通孔
包装/外壳
DO-201AA, DO-27, Axial
引脚数
2
供应商器件包装
DO-201AD
质量
4.535924g
Breakdown Voltage / V
600V
包装
Bulk
已出版
2000
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
125°C
最小工作温度
-65°C
电压 - 额定直流
600V
额定电流
3A
基本部件号
MR856
极性
Standard
元素配置
Single
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
10μA @ 600V
输出电流
3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.25V @ 3A
正向电流
3A
工作温度 - 结点
-65°C~125°C
最大浪涌电流
100A
无卤素
无卤素
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
600V
平均整流电流(Io)
3A
正向电压
1.25V
最大反向电压(DC)
600V
平均整流电流
3A
反向恢复时间
300 ns
峰值反向电流
10μA
最大重复反向电压(Vrrm)
600V
峰值非恢复性浪涌电流
100A
反向电压
600V
最大正向浪涌电流(Ifsm)
100A
恢复时间
300 ns
直径
5.3mm
高度
9.5mm
长度
9.4996mm
宽度
76.2mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MR856G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor






哦! 它是空的。