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MRF5S21130HSR5备选型号: PD57018-E
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Transistors RF MOSFET Power HV5 LDMOS WCDMA NI880NI-880S65VTape & Reel (TR)2005Obsolete3 (168 Hours)2.11GHz~2.17GHzMRF5S211301.2ALDMOS13.5dB28W28VROHS3 Compliant----------------------------------------
FET RF 65V 945MHZ PWRSO10PowerSO-10 Exposed Bottom Pad1Tube-活跃3 (168 Hours)945MHzPD57018100mALDMOS--28VROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 8 months ago)25 WeeksTin表面贴装3e32EAR99165°C-65°CHIGH RELIABILITY65V31.7WDUAL鸥翼2502.5A3010R-PDSO-G2Single增强型MOSFET31.7WSOURCEAMPLIFIER65VN-CHANNEL2.5A20V18W65VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR760mOhm65V16.5dB3.5mm7.5mm9.4mm无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | ZXMS6005SGTA | Diodes Incorporated | PMIC - 配电开关，负载驱动器 | TO-261-4, TO-261AA | DIODES INC. ZXMS6005SGTA MOSFET Transistor, Enhancement Mode, N Channel, 2 A, 60 V, 0.15 ohm, 5 V, 1 V | 对比 |
 | PD57018STR-E | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | TRANSISTOR RF POWERSO-10 | 对比 |
| PD57018TR-E | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) | TRANSISTOR RF POWERSO-10 | 对比 |
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