STMicroelectronics PD57018-E
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PD57018-E
2381-PD57018-E
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
大陆
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FET RF 65V 945MHZ PWRSO10
--最小包装量--
PD57018-E详情
STMicroelectronics PD57018-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
25 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
包装/外壳
PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
引脚数
3
Number of Elements
1
包装
Tube
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
165°C
最小工作温度
-65°C
附加功能
HIGH RELIABILITY
电压 - 额定直流
65V
最大功率耗散
31.7W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
250
额定电流
2.5A
频率
945MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
PD57018
引脚数量
10
JESD-30代码
R-PDSO-G2
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
31.7W
箱体转运
SOURCE
测试电流
100mA
晶体管应用
AMPLIFIER
漏源电压 (Vdss)
65V
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS
连续放电电流(ID)
2.5A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大输出功率
18W
漏源击穿电压
65V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
760mOhm
电压-测试
28V
最小击穿电压
65V
功率增益
16.5dB
高度
3.5mm
长度
7.5mm
宽度
9.4mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
PD57018-E拓展信息
STMicroelectronics
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