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首页 全部分类 MRF6S21060NBR1 vs MW6S010GNR1

MRF6S21060NBR1备选型号: MW6S010GNR1

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  • 终止次数
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • Reach合规守则
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  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 最大耗散功率(Abs)
  • NXP USA Inc.
    MRF6S21060NBR1
    NXP USA Inc.
    Trans RF MOSFET N-CH 68V 5-Pin TO-272 W T/R
    TO-272BB
    68V
    Tape & Reel (TR)
    2006
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    未说明
    2.12GHz
    未说明
    MRF6S21060
    610mA
    LDMOS
    15.5dB
    14W
    28V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
  • NXP USA Inc.
    MW6S010GNR1
    NXP USA Inc.
    Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin TO-270 GULL T/R
    TO-270BA
    1
    Tape & Reel (TR)
    2009
    活跃
    3 (168 Hours)
    260
    960MHz
    40
    MW6S010
    125mA
    LDMOS
    18dB
    10W
    28V
    ROHS3 Compliant
    10 Weeks
    YES
    SILICON
    e3
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.75
    DUAL
    鸥翼
    not_compliant
    R-PDSO-G2
    不合格
    SINGLE
    增强型MOSFET
    SOURCE
    AMPLIFIER
    N-CHANNEL
    68V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    61.4W
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