MRF8S21120HR3备选型号: SD57060

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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大输出功率
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin NI-780 T/R
    SOT-957A
    YES
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    5A991
    8541.29.00.75
    DUAL
    FLAT
    260
    unknown
    2.17GHz
    40
    MRF8S21120
    R-CDFM-F2
    不合格
    SINGLE
    增强型MOSFET
    SOURCE
    850mA
    AMPLIFIER
    N-CHANNEL
    LDMOS
    17.6dB
    65V
    28W
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    28V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    FET RF 65V 945MHZ M243
    M243
    -
    -
    1
    Bulk
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    DUAL
    FLAT
    未说明
    -
    945MHz
    未说明
    SD57060
    R-PDFM-F2
    不合格
    -
    增强型MOSFET
    SOURCE
    100mA
    AMPLIFIER
    N-CHANNEL
    LDMOS
    15dB
    -
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    28V
    ROHS3 Compliant
    NRND (Last Updated: 8 months ago)
    Screw
    243
    200°C
    -65°C
    65V
    108W
    7A
    3
    Single
    108W
    65V
    7A
    20V
    60W
    7A
    65V
    88pF
    无铅
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