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首页 全部分类 MRFE6S9135HSR3 vs BSC110N06NS3GATMA1

MRFE6S9135HSR3备选型号: BSC110N06NS3GATMA1

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  • 场效应管技术
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  • 底架
  • 安装类型
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • Reach合规守则
  • 引脚数量
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    MRFE6S9135HSR3
    NXP USA Inc.
    Trans RF MOSFET N-CH 66V 3-Pin NI-880S T/R
    NI-880S
    YES
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    2007
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    8541.29.00.75
    DUAL
    FLAT
    260
    940MHz
    40
    MRFE6S9135
    R-CDFP-F2
    不合格
    SINGLE
    增强型MOSFET
    SOURCE
    1A
    AMPLIFIER
    N-CHANNEL
    LDMOS
    21dB
    66V
    39W
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    28V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSC110N06NS3GATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
    8-PowerTDFN
    -
    SILICON
    50A Tc
    Tape & Reel (TR)
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    DUAL
    FLAT
    未说明
    -
    未说明
    -
    R-PDSO-F5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    -
    SWITCHING
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8
    -55°C~150°C TJ
    OptiMOS™
    e3
    no
    Tin (Sn)
    not_compliant
    8
    2.5W
    10 ns
    N-Channel
    11m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 23μA
    无卤素
    2700pF @ 30V
    33nC @ 10V
    77ns
    ±20V
    6 ns
    50A
    12V
    60V
    200A
    22 mJ
    含铅
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