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首页 全部分类 MRFE6S9200HR3 vs MRFE6S9125NBR1

MRFE6S9200HR3备选型号: MRFE6S9125NBR1

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  • 终止次数
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 资历状况
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  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • NXP USA Inc.
    MRFE6S9200HR3
    NXP USA Inc.
    Trans RF MOSFET N-CH 66V 3-Pin NI-880 T/R
    NI-880
    66V
    Tape & Reel (TR)
    2008
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    未说明
    880MHz
    未说明
    MRFE6S9200
    1.4A
    LDMOS
    21dB
    58W
    28V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    MRFE6S9125NBR1
    NXP USA Inc.
    Trans RF MOSFET N-CH 66V 5-Pin TO-272 W T/R
    TO-272BB
    1
    Tape & Reel (TR)
    2006
    不用于新设计
    3 (168 Hours)
    260
    880MHz
    40
    MRFE6S9125
    950mA
    LDMOS
    20.2dB
    27W
    28V
    ROHS3 Compliant
    10 Weeks
    YES
    SILICON
    e3
    4
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    8541.29.00.75
    DUAL
    FLAT
    R-PDFM-F4
    不合格
    SINGLE
    增强型MOSFET
    SOURCE
    AMPLIFIER
    N-CHANNEL
    66V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
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