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首页 全部分类 MRFE6VP100HR5 vs MRF6V2010NBR1

MRFE6VP100HR5备选型号: MRF6V2010NBR1

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  • 电压-测试
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  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
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  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • DS 击穿电压-最小值
  • NXP USA Inc.
    MRFE6VP100HR5
    NXP USA Inc.
    RF MOSFET Transistors VHV6 100W 50V ISM
    10 Weeks
    NI780-4
    150°C
    Tape & Reel (TR)
    2012
    活跃
    不适用
    EAR99
    8541.29.00.75
    260
    512MHz
    40
    MRFE6VP100
    100mA
    N-CHANNEL
    LDMOS
    26dB
    100W
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    50V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    MRF6V2010NBR1
    NXP USA Inc.
    Trans RF MOSFET N-CH 110V 3-Pin TO-272 T/R
    10 Weeks
    TO-272BC
    1
    Tape & Reel (TR)
    2006
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    EAR99
    8541.29.00.75
    260
    220MHz
    40
    MRF6V2010
    30mA
    N-CHANNEL
    LDMOS
    23.9dB
    10W
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    50V
    Non-RoHS Compliant
    YES
    SILICON
    e3
    2
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    R-PDFM-F2
    不合格
    SINGLE
    增强型MOSFET
    SOURCE
    AMPLIFIER
    110V
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