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首页 全部分类 MRFE6VP61K25HSR5 vs MRFE6VP6300HR5

MRFE6VP61K25HSR5备选型号: MRFE6VP6300HR5

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  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 终端形式
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  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • DS 击穿电压-最小值
  • NXP USA Inc.
    MRFE6VP61K25HSR5
    NXP USA Inc.
    FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S
    10 Weeks
    NI-1230-4S
    225°C
    Tape & Reel (TR)
    2006
    活跃
    不适用
    EAR99
    8541.29.00.75
    260
    230MHz
    40
    MRFE6VP61K25
    100mA
    N-CHANNEL
    LDMOS (Dual)
    24dB
    1250W
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    1300W
    50V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    MRFE6VP6300HR5
    NXP USA Inc.
    RF POWER FET, N CH, 125V, NI-780-4 - More Details
    10 Weeks
    NI780-4
    2
    Tape & Reel (TR)
    2006
    活跃
    不适用
    EAR99
    8541.29.00.75
    260
    230MHz
    40
    MRFE6VP6300
    100mA
    N-CHANNEL
    LDMOS (Dual)
    26.5dB
    300W
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    -
    50V
    ROHS3 Compliant
    YES
    SILICON
    4
    FLAT
    R-CDFM-F4
    不合格
    COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
    增强型MOSFET
    SOURCE
    AMPLIFIER
    130V
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MRFE6VP6300HR5 MRFE6VP6300HR5 NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 NI780-4 RF POWER FET, N CH, 125V, NI-780-4 - More Details 对比