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首页 全部分类 MSC2295-CT1G vs RN1441ATE85LF

MSC2295-CT1G备选型号: RN1441ATE85LF

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  • 安装类型
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  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
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  • 包装
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 集电极-基极电容-最大值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 极性
  • 功率 - 最大
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 最大击穿电压
  • 频率转换
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • ON Semiconductor
    MSC2295-CT1G
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - BJT 30V RF NPN
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    表面贴装
    表面贴装
    3
    SILICON
    20V
    2006
    Tape & Reel (TR)
    150°C TJ
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.21.00.75
    20V
    200mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    30mA
    40
    3
    不合格
    Single
    AMPLIFIER
    150MHz
    NPN
    NPN
    20V
    30mA
    110 @ 1mA 10V
    150MHz
    30V
    5V
    1.5pF
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    RN1441ATE85LF
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 300mA IC 20V VCEO
    -
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    表面贴装
    表面贴装
    -
    -
    20V
    2014
    Cut Tape (CT)
    -
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    200mW
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    -
    NPN - Pre-Biased
    100mV
    300mA
    200 @ 4mA 2V
    -
    -
    25V
    -
    符合RoHS标准
    -
    S-Mini
    NPN
    200mW
    100nA ICBO
    100mV @ 3mA, 30mA
    20V
    20V
    30MHz
    5.6 kOhms
    300mA
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