Toshiba Semiconductor and Storage RN1441ATE85LF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件包装

S-Mini

Collector-Emitter Breakdown Voltage

20V

Current-Collector (Ic) (Max)

300mA

hFEMin

200

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2014

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最大功率耗散

200mW

极性

NPN

元素配置

Single

功率 - 最大

200mW

晶体管类型

NPN - Pre-Biased

集电极发射器电压(VCEO)

100mV

最大集电极电流

300mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 4mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

100mV @ 3mA, 30mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

20V

最大击穿电压

20V

频率转换

30MHz

发射极基极电压 (VEBO)

25V

电阻基(R1)

5.6 kOhms

连续集电极电流

300mA

RoHS状态

符合RoHS标准