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首页 全部分类 MSD1819A-RT1G vs PDTC144WE,115

MSD1819A-RT1G备选型号: PDTC144WE,115

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  • 电压 - 额定直流
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
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  • 功率耗散
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  • 晶体管类型
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  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 功率 - 最大
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 最大耗散功率(Abs)
  • 电阻基(R1)
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • ON Semiconductor
    MSD1819A-RT1G
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    2 Weeks
    Tin
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    YES
    3
    SILICON
    50V
    500mV
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    50V
    150mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    100mA
    40
    MSD1819A
    3
    Single
    150mW
    AMPLIFIER
    NPN
    NPN
    60V
    100mA
    210 @ 2mA 10V
    100nA
    500mV @ 10mA, 100mA
    50V
    60V
    7V
    900μm
    2.2mm
    1.35mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PDTC144WE,115
    NXP USA Inc.
    TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
    -
    -
    -
    表面贴装
    SC-75, SOT-416
    YES
    -
    SILICON
    100mA
    -
    -
    Tape & Reel (TR)
    2003
    e3
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    260
    -
    40
    PDTC144
    3
    -
    -
    SWITCHING
    NPN
    NPN - Pre-Biased
    -
    -
    60 @ 5mA 5V
    1μA
    150mV @ 500μA, 10mA
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    Tin (Sn)
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47
    R-PDSO-G3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
    150mW
    50V
    0.15W
    47 k Ω
    22 k Ω
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