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首页 全部分类 MSD42SWT1G vs MSD1819A-RT1G

MSD42SWT1G备选型号: MSD1819A-RT1G

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  • Collector-Emitter Saturation Voltage
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  • 包装
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  • JESD-609代码
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    MSD42SWT1G
    ON Semiconductor
    Trans GP BJT NPN 300V 0.15A Automotive 3-Pin SC-70 T/R
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    YES
    3
    SILICON
    300V
    500mV
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    300V
    150mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    150mA
    40
    MSD42
    3
    Single
    150mW
    AMPLIFIER
    NPN
    NPN
    300V
    150mA
    25 @ 1mA 10V
    100nA ICBO
    500mV @ 2mA, 200mA
    50MHz
    300V
    300V
    6V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MSD1819A-RT1G
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    YES
    3
    SILICON
    50V
    500mV
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    50V
    150mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    100mA
    40
    MSD1819A
    3
    Single
    150mW
    AMPLIFIER
    NPN
    NPN
    60V
    100mA
    210 @ 2mA 10V
    100nA
    500mV @ 10mA, 100mA
    -
    50V
    60V
    7V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    900μm
    2.2mm
    1.35mm
    无SVHC
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