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首页 全部分类 MSRT150100(A) vs STTH200L06TV1

MSRT150100(A)备选型号: STTH200L06TV1

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  • 最高工作温度
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  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 箱体转运
  • 工作温度 - 结点
  • 正向电压
  • 相位的数量
  • 反向恢复时间
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • GeneSiC Semiconductor
    MSRT150100(A)
    GeneSiC Semiconductor
    Rectifiers 1000V 150A Std. Recovery
    10 Weeks
    底座安装
    底座安装
    三塔
    Bulk
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    共阴极
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    10μA @ 600V
    1.2V @ 150A
    150A
    2.25kA
    1000V
    150A DC
    1kV
    150A
    10μA
    1kV
    1kV
    1 Pair Common Cathode
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
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    -
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    -
  • STMicroelectronics
    STTH200L06TV1
    STMicroelectronics
    DIODE MODULE 600V 120A ISOTOP
    31 Weeks
    Chassis Mount, Panel, Screw
    底座安装
    ISOTOP
    Tube
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    Dual
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    100μA @ 600V
    1.55V @ 100A
    120A
    800A
    -
    -
    600V
    120A
    100μA
    600V
    600V
    2 Independent
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    4
    SILICON
    2
    4
    EAR99
    NICKEL
    150°C
    -55°C
    高压超快恢复
    600V
    UPPER
    UNSPECIFIED
    240A
    STTH2
    4
    ISOLATED
    150°C Max
    1.55V
    1
    120 ns
    800A
    120 ns
    9.1mm
    31.7mm
    24.8mm
    无SVHC
    无
    无铅
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