MT16HTF25664HZ-800M1备选型号: MT9HTF12872RHZ-80EH1
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- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- 功能数量
- 电源电压
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 温度等级
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 端口的数量
- 速度
- 操作模式
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 内存宽度
- 记忆密度
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- 访问模式
- 长度
- 座位高度(最大)
- RoHS状态
- 底架
- 无铅代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 最大电源电压
- 最小电源电压
- 时钟频率
- 输出特性
- 待机电流-最大值
- 访问时间(最大)
- I/O类型
- 辐射硬化
- 无铅
- MODULE DDR2 SDRAM 2GB 200SODIMM10 Weeks200-SODIMMNO200DDR2 SDRAM2014最后一次购买3 (168 Hours)200EAR9970°C0°CAUTO/SELF REFRESH; WD-MAX8542.32.00.36ZIG-ZAG无铅11.8V1.8V1.9VCOMMERCIAL1.7V2GB1800MT/sSYNCHRONOUS64b256MX646417179869184 bit400MHz双库页面突发67.6mm30.15mmROHS3 Compliant--------------
- DRAM Module DDR2 SDRAM 1Gbyte 200SORDIMM Tray-200-SORDIMM-200DDR2 SDRAM2010Obsolete3 (168 Hours)200-70°C0°C--DUAL--1.8V1.8V-COMMERCIAL-1GB-800MT/s-72b128MX7272-800MHz---ROHS3 CompliantSocketyes2600.6mm301.9V1.7V400MHz3-STATE0.063A0.4 nsCOMMON无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT8HTF25632HZ-667H1 | Micron Technology Inc. | 存储器 - 模块 | 200-SODIMM | MODULE DDR2 SDRAM 2GB 200-SODIMM | 对比 |
![]() | MT9HTF12872RHZ-80EH1 | Micron Technology Inc. | 存储器 - 模块 | 200-SORDIMM | DRAM Module DDR2 SDRAM 1Gbyte 200SORDIMM Tray | 对比 |





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