MT16JSF51264HZ-1G1D1备选型号: MT16JSF25664HY-1G4D1
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 端子位置
- 终端形式
- 端子间距
- Reach合规守则
- 资历状况
- 工作电源电压
- 电源
- 温度等级
- 最大电源电压
- 最小电源电压
- 内存大小
- 速度
- 时钟频率
- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
- 待机电流-最大值
- 记忆密度
- 最高频率
- I/O类型
- 刷新周期
- RoHS状态
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 端口的数量
- 操作模式
- 访问模式
- DRAM Module DDR3 SDRAM 4Gbyte 204SODIMMSocket204-SODIMM204DDR3 SDRAM2011Obsolete3 (168 Hours)20470°C0°CDUAL无铅0.6mmunknown不合格1.5V1.53.3VCOMMERCIAL1.575V1.425V4GB1066MT/s533MHz512MX643-STATE640.192A34359738368 bit1.066GHzCOMMON8192ROHS3 Compliant-------------
- MODULE DDR3 SDRAM 2GB 204SODIMMSocket204-SODIMM204DDR3 SDRAM2002Obsolete3 (168 Hours)20470°C0°CZIG-ZAG无铅-unknown不合格1.5V-COMMERCIAL1.575V1.425V2GB1333MT/s-256MX64-64-17179869184 bit1.333GHz--ROHS3 Compliante4EAR99Gold (Au)AUTO/SELF REFRESH8542.32.00.3626011.5V302041SYNCHRONOUS双库页面突发
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT8JTF25664HZ-1G4M1 | Micron Technology Inc. | 存储器 - 模块 | 204-SODIMM | DRAM Module DDR3 SDRAM 2Gbyte 204SODIMM | 对比 |
![]() | MT8JSF25664HZ-1G4D1 | Micron Technology Inc. | 存储器 - 模块 | 204-SODIMM | MODULE DDR3 SDRAM 2GB 204SODIMM | 对比 |






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