Micron Technology Inc. MT16JSF51264HZ-1G1D1
- 收藏
- 对比
MT16JSF51264HZ-1G1D1
1616-MT16JSF51264HZ-1G1D1
存储器 - 模块
204-SODIMM
大陆
立即发货

DRAM Module DDR3 SDRAM 4Gbyte 204SODIMM
1最小包装量--
MT16JSF51264HZ-1G1D1详情
Micron Technology Inc. MT16JSF51264HZ-1G1D1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Socket
包装/外壳
204-SODIMM
引脚数
204
Memory Types
DDR3 SDRAM
Number of Elements
16
已出版
2011
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
204
最高工作温度
70°C
最小工作温度
0°C
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
端子间距
0.6mm
Reach合规守则
unknown
资历状况
不合格
工作电源电压
1.5V
电源
1.53.3V
温度等级
COMMERCIAL
最大电源电压
1.575V
最小电源电压
1.425V
内存大小
4GB
速度
1066MT/s
时钟频率
533MHz
组织结构
512MX64
输出特性
3-STATE
内存宽度
64
待机电流-最大值
0.192A
记忆密度
34359738368 bit
最高频率
1.066GHz
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
RoHS状态
ROHS3 Compliant
MT16JSF51264HZ-1G1D1拓展信息
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.
Micron Technology Inc.











哦! 它是空的。