MT18LSDT6472G-133D2备选型号: MT8HTF25632HZ-667H1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 频率
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 工作电源电压
  • 温度等级
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 内存大小
  • 端口的数量
  • 数据总线宽度
  • 组织结构
  • 内存宽度
  • 访问时间(最大)
  • 访问模式
  • 高度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 速度
  • Micron Technology Inc.
    MODULE SDRAM 512MB 168RDIMM
    Socket
    168-RDIMM
    168
    SDRAM
    Bulk
    2003
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    168
    EAR99
    锡铅
    55°C
    0°C
    AUTO/SELF REFRESH
    8542.32.00.36
    DUAL
    235
    1
    3.3V
    133MHz
    30
    168
    3.3V
    COMMERCIAL
    3.6V
    3V
    512MB
    1
    72b
    64MX72
    72
    5.4 ns
    单库页面突发
    43.2mm
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
  • Micron Technology Inc.
    MODULE DDR2 SDRAM 2GB 200-SODIMM
    -
    200-SODIMM
    200
    DDR2 SDRAM
    -
    2014
    -
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2GB
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    667MT/s
  • 添加型号
存储卡,模块相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
MT8HTF25632HZ-667H1 MT8HTF25632HZ-667H1 Micron Technology Inc. 存储器 - 模块 200-SODIMM MODULE DDR2 SDRAM 2GB 200-SODIMM 对比
MT18VDDF12872Y-40BF1 MT18VDDF12872Y-40BF1 Micron Technology Inc. 存储器 - 模块 184-RDIMM MODULE DDR SDRAM 1GB 184RDIMM 对比