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首页 全部分类 MT25QL128ABA1ESE-MSIT vs S25FL127SABMFI100

MT25QL128ABA1ESE-MSIT备选型号: S25FL127SABMFI100

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  • 底架
  • 引脚数
  • 系列
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  • 电源电流-最大值
  • 访问时间
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  • 待机电流-最大值
  • 并行/串行
  • 编程电压
  • 串行总线类型
  • 耐力
  • 数据保持时间
  • 写入保护
  • 备用内存宽度
  • 环境温度范围高
  • 高度
  • 辐射硬化
  • Micron Technology Inc.
    MT25QL128ABA1ESE-MSIT
    Micron Technology Inc.
    NOR Flash Serial-SPI 3V/3.3V 128M-bit 128M/64M/32M x 1/2-bit/4-bit 6ns 8-Pin SOP-II
    8 Weeks
    表面贴装
    8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)
    YES
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tube
    2015
    活跃
    3 (168 Hours)
    8
    3A991.B.1.A
    8542.32.00.51
    2.7V~3.6V
    DUAL
    未说明
    1
    3V
    1.27mm
    未说明
    S-PDSO-G8
    3.3V
    3.6V
    2.7V
    SPI, Serial
    128Mb 16M x 8
    SYNCHRONOUS
    133MHz
    FLASH
    SPI
    16MX8
    8
    8ms, 2.8ms
    128 Mb
    256B
    5.285mm
    2.16mm
    5.285mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Cypress Semiconductor Corp
    S25FL127SABMFI100
    Cypress Semiconductor Corp
    Flash Memory 128Mb, 3V, 108Mhz SPI NOR Flash
    13 Weeks
    表面贴装
    8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)
    -
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2015
    活跃
    3 (168 Hours)
    8
    -
    -
    2.7V~3.6V
    DUAL
    -
    1
    3V
    1.27mm
    -
    -
    -
    3.6V
    2.7V
    SPI
    128Mb 16M x 8
    -
    108MHz
    FLASH
    SPI - Quad I/O
    -
    8
    -
    128 Mb
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    表面贴装
    8
    FL-S
    IT ALSO HAVE MEMORY WIDTH X 1
    3/3.3V
    0.063mA
    8 ns
    1b
    0.0001A
    SERIAL
    3V
    SPI
    100000 Write/Erase Cycles
    20
    HARDWARE/SOFTWARE
    2
    85°C
    2.16mm
    无
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