MT25QU512ABB1EW9-0SIT备选型号: MT25QL512ABB1EW9-0SIT
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- 界面
- 内存大小
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- 时钟频率
- 内存格式
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- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 密度
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- RoHS状态
- 端子间距
- 编程电压
- 宽度
- IC FLASH 512M SPI 133MHZ 8WPDFN6 Weeks表面贴装8-WFDFN Exposed PadYES8Non-Volatile-40°C~85°C TATray2017活跃3 (168 Hours)81.7V~2VDUAL未说明11.8V未说明1.8V2V1.7VSPI, Serial512Mb 64M x 8SYNCHRONOUS133MHzFLASHSPI512MX118ms, 2.8ms512 Mb256BROHS3 Compliant---
- IC FLASH 512M SPI 133MHZ 8WPDFN6 Weeks表面贴装8-WFDFN Exposed PadYES8Non-Volatile-40°C~85°C TATray2016活跃3 (168 Hours)82.7V~3.6VDUAL26013V303V3.6V2.7VSPI, Serial512Mb 64M x 8SYNCHRONOUS133MHzFLASHSPI512MX118ms, 2.8ms512 Mb256BROHS3 Compliant1.27mm3V6mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SST25VF010A-33-4C-SAE | Microchip Technology | 存储器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MICROCHIP - SST25VF010A-33-4C-SAE - MEMORY, FLASH, 1MBIT, SPI, 8SOIC | 对比 |
| SST25VF016B-50-4I-S2AF | Microchip Technology | 存储器 | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | MICROCHIP - SST25VF016B-50-4I-S2AF - 16M MEMOIRE EEPROM FLASH SPI SOIC8 | 对比 | |
![]() | MT25QL512ABB1EW9-0SIT | Micron Technology Inc. | 存储器 | 8-WFDFN Exposed Pad | IC FLASH 512M SPI 133MHZ 8WPDFN | 对比 |





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