MT29F2G08ABAEAWP:E备选型号: M29W320EB70N6E

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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终端
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 电源
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • 备用内存宽度
  • 引导模块
  • 通用闪存接口
  • 宽度
  • 座位高度(最大)
  • 达到SVHC
  • Micron Technology Inc.
    SLC NAND Flash Parallel 3.3V 2G-bit 256M x 8 48-Pin TSOP-I Tray
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
    48
    Non-Volatile
    0°C~70°C TA
    Bulk
    2010
    活跃
    3 (168 Hours)
    48
    3A991.B.1.A
    8542.32.00.51
    2.7V~3.6V
    DUAL
    1
    3.3V
    0.5mm
    MT29F2G08
    3.3V
    3.3V
    2Gb 256M x 8
    35mA
    FLASH
    Parallel
    256MX8
    8
    29b
    2 Gb
    0.0001A
    25 ns
    Asynchronous
    8b
    NO
    NO
    YES
    2K
    128K
    2kB
    YES
    70°C
    1.2mm
    18.4mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Micron Technology Inc.
    MICRON M29W320EB70N6EFlash Memory, Boot Block, NOR, 32 Mbit, 4M x 8bit / 2M x 16bit, CFI, Parallel, TSOP, 48 Pins
    -
    -
    表面贴装
    48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
    48
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2007
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    48
    3A991.B.1.A
    8542.32.00.51
    2.7V~3.6V
    DUAL
    1
    3V
    0.5mm
    M29W320
    -
    2.7V
    32Mb 4M x 8 2M x 16
    10mA
    FLASH
    Parallel
    2MX16
    16
    -
    32 Mb
    0.0001A
    70 ns
    Asynchronous
    -
    YES
    YES
    YES
    863
    8K64K
    -
    YES
    -
    -
    18.4mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    YES
    e4
    yes
    SMD/SMT
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    底部启动区块
    260
    30
    48
    3/3.3V
    70ns
    8
    BOTTOM
    YES
    12mm
    1.2mm
    无SVHC
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