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首页 全部分类 MT29F2G08ABAEAWP:E vs MT29F2G16ABAEAWP:E

MT29F2G08ABAEAWP:E备选型号: MT29F2G16ABAEAWP:E

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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 编程电压
  • 座位高度(最大)
  • Micron Technology Inc.
    MT29F2G08ABAEAWP:E
    Micron Technology Inc.
    SLC NAND Flash Parallel 3.3V 2G-bit 256M x 8 48-Pin TSOP-I Tray
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
    48
    Non-Volatile
    0°C~70°C TA
    Bulk
    2010
    活跃
    3 (168 Hours)
    48
    3A991.B.1.A
    8542.32.00.51
    2.7V~3.6V
    DUAL
    1
    3.3V
    0.5mm
    MT29F2G08
    3.3V
    3.3V
    2Gb 256M x 8
    35mA
    FLASH
    Parallel
    256MX8
    8
    29b
    2 Gb
    0.0001A
    25 ns
    Asynchronous
    8b
    NO
    NO
    YES
    2K
    128K
    2kB
    YES
    70°C
    1.2mm
    18.4mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Micron Technology Inc.
    MT29F2G16ABAEAWP:E
    Micron Technology Inc.
    SLC NAND Flash Parallel 3.3V 2G-bit 128M x 16 48-Pin TSOP-I Tray
    3 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
    48
    Non-Volatile
    0°C~70°C TA
    Bulk
    1998
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    48
    -
    -
    2.7V~3.6V
    DUAL
    1
    3.3V
    0.5mm
    MT29F2G16
    3.3V
    -
    2Gb 128M x 16
    35mA
    FLASH
    Parallel
    128MX16
    16
    28b
    2 Gb
    0.0001A
    25 ns
    Asynchronous
    16b
    NO
    NO
    YES
    2K
    64K
    1Kwords
    YES
    -
    -
    18.4mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    Tin
    3.6V
    2.7V
    2.7V
    1.2mm
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