MT29F4G08ABADAWP:D备选型号: SST39VF1681-70-4I-EKE
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 电源电流
- 访问时间
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- 同步/异步
- 字长
- 数据轮询
- 拨动位
- 命令用户界面
- 扇区/尺寸数
- 行业规模
- 页面尺寸
- 准备就绪/忙碌
- 环境温度范围高
- 高度
- 长度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 表面安装
- 系列
- 端子表面处理
- 附加功能
- 基本部件号
- 数据总线宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 编程电压
- 引导模块
- 通用闪存接口
- 宽度
- 达到SVHC
- SLC NAND Flash Parallel 3.3V 4G-bit 512M x 8 25ns 48-Pin TSOP-I Tray6 WeeksTin表面贴装表面贴装48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)48Non-Volatile0°C~70°C TATube2010e3yes活跃3 (168 Hours)483A991.B.1.A8542.32.00.512.7V~3.6VDUAL26013.3V0.5mm30483.3V3.6V2.7V4Gb 512M x 835mA20 nsFLASHParallel4GX881b4 Gb0.0001AAsynchronous8bNONOYES4K128K2kBYES70°C1.2mm18.4mm无ROHS3 Compliant无铅------------
- MEMORY, FLASH, 16MBIT, B/B, 48TSOP7 Weeks--表面贴装48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)48Non-Volatile-40°C~85°C TATray2000e3yes活跃3 (168 Hours)483A991.B.1.A8542.32.00.512.7V~3.6VDUAL26013V0.5mm40483.3V3.6V2.7V16Mb 2M x 818mA70nsFLASHParallel2MX8-21b16 Mb0.00002AAsynchronous8bYESYESYES5124K-YES-1.05mm18.5mm无ROHS3 Compliant无铅YESSST39 MPF™Matte Tin (Sn) - annealed底部启动区块SST39VF16818b10μs2.7VBOTTOMYES12.2mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT29F1G08ABAEAWP:E | Micron Technology Inc. | 存储器 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | SLC NAND Flash Parallel 3.3V 1Gbit 128M x 8bit | 对比 |
![]() | SST39VF3201-70-4C-EKE | Microchip Technology | 存储器 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | MICROCHIP - SST39VF3201-70-4C-EKE - IC, 32M FLASH MEMORY, 2KWORD SECTOR | 对比 |
![]() | SST39VF1681-70-4I-EKE | Microchip Technology | 存储器 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | MEMORY, FLASH, 16MBIT, B/B, 48TSOP | 对比 |





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