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首页 全部分类 MT29F4G08ABAEAWP:E vs MT29F1G08ABAEAWP:E

MT29F4G08ABAEAWP:E备选型号: MT29F1G08ABAEAWP:E

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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 电压 - 供电
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  • RoHS状态
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  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 组织结构
  • 内存宽度
  • 编程电压
  • 电压 - 供电 （最大值）
  • 电压 - 供电 （最小值）
  • 页面尺寸
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • Micron Technology Inc.
    MT29F4G08ABAEAWP:E
    Micron Technology Inc.
    SLC NAND Flash Parallel 3.3V 4Gbit 512M x 8bit 48-Pin TSOP
    6 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
    48
    Non-Volatile
    30mA
    0°C~70°C TA
    Tray
    活跃
    3 (168 Hours)
    3.3V
    MT29F4G08
    4Gb 512M x 8
    FLASH
    Parallel
    30b
    4 Gb
    Asynchronous
    8b
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Micron Technology Inc.
    MT29F1G08ABAEAWP:E
    Micron Technology Inc.
    SLC NAND Flash Parallel 3.3V 1Gbit 128M x 8bit
    6 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
    48
    Non-Volatile
    35mA
    0°C~70°C TA
    Tray
    活跃
    3 (168 Hours)
    3.3V
    MT29F1G08
    1Gb 128M x 8
    FLASH
    Parallel
    28b
    1 Gb
    Asynchronous
    8b
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    2013
    e3
    48
    3A991.B.1.A
    哑光锡
    8542.32.00.51
    DUAL
    260
    1
    0.5mm
    30
    128MX8
    8
    2.7V
    3.6V
    2.7V
    2kB
    18.4mm
    1.2mm
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