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首页 全部分类 MT29F64G08CBAAAWP-Z:A vs MT29F1G08ABADAWP-ITX:D

MT29F64G08CBAAAWP-Z:A备选型号: MT29F1G08ABADAWP-ITX:D

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 内存大小
  • 操作模式
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 组织结构
  • 内存宽度
  • 记忆密度
  • 编程电压
  • 电压 - 供电 （最大值）
  • 电压 - 供电 （最小值）
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 底架
  • 基本部件号
  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • 访问时间（最大）
  • 字长
  • 数据轮询
  • 拨动位
  • 命令用户界面
  • 扇区/尺寸数
  • 行业规模
  • 页面尺寸
  • 准备就绪/忙碌
  • 辐射硬化
  • Micron Technology Inc.
    MT29F64G08CBAAAWP-Z:A
    Micron Technology Inc.
    MLC NAND Flash Parallel 3.3V 64G-bit 8G x 8 48-Pin TSOP-I Tray
    4 Weeks
    表面贴装
    48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
    YES
    48
    Non-Volatile
    0°C~70°C TA
    Tube
    2008
    e3
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    48
    3A991.B.1.A
    Matte Tin (Sn)
    8542.32.00.51
    3.3V
    DUAL
    260
    1
    0.5mm
    30
    64Gb 8G x 8
    ASYNCHRONOUS
    FLASH
    Parallel
    8GX8
    8
    68719476736 bit
    2.7V
    3.6V
    2.7V
    18.4mm
    1.2mm
    12mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Micron Technology Inc.
    MT29F1G08ABADAWP-ITX:D
    Micron Technology Inc.
    IC 1GB FLASH MEMORY 25US 48-TSOP
    5 Weeks
    表面贴装
    48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
    -
    48
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2012
    e3
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    48
    -
    TIN
    -
    3.3V
    DUAL
    -
    1
    0.5mm
    -
    1Gb 128M x 8
    -
    FLASH
    Parallel
    128MX8
    8
    -
    -
    3.6V
    2.7V
    18.4mm
    1.2mm
    12mm
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    MT29F1G08
    1 Gb
    0.0001A
    25 ns
    8b
    NO
    NO
    YES
    1K
    128K
    2Kwords
    YES
    无
  • 添加型号
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