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首页 全部分类 MT29F8G08ABABAWP-ITX:B vs MT29F1G08ABAEAWP:E

MT29F8G08ABABAWP-ITX:B备选型号: MT29F1G08ABAEAWP:E

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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 电压 - 供电
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • Current - Supply (Nom)
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  • 端子位置
  • 功能数量
  • 端子间距
  • 组织结构
  • 内存宽度
  • 同步/异步
  • 电压 - 供电 （最大值）
  • 电压 - 供电 （最小值）
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • Micron Technology Inc.
    MT29F8G08ABABAWP-ITX:B
    Micron Technology Inc.
    SLC NAND Flash 3.3V 8G-bit 1G x 8 48-Pin TSOP
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
    48
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2013
    e3
    最后一次购买
    3 (168 Hours)
    3A991
    Matte Tin (Sn)
    8542.32.00.51
    3.3V
    260
    30
    MT29F8G08
    8Gb 1G x 8
    FLASH
    Parallel
    32b
    8 Gb
    8b
    2.7V
    4.2kB
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Micron Technology Inc.
    MT29F1G08ABAEAWP:E
    Micron Technology Inc.
    SLC NAND Flash Parallel 3.3V 1Gbit 128M x 8bit
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
    48
    Non-Volatile
    0°C~70°C TA
    Tray
    2013
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    3A991.B.1.A
    哑光锡
    8542.32.00.51
    3.3V
    260
    30
    MT29F1G08
    1Gb 128M x 8
    FLASH
    Parallel
    28b
    1 Gb
    8b
    2.7V
    2kB
    无
    ROHS3 Compliant
    35mA
    48
    DUAL
    1
    0.5mm
    128MX8
    8
    Asynchronous
    3.6V
    2.7V
    18.4mm
    1.2mm
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