MT29F8G08ABACAWP-IT:C备选型号: MT29F1G08ABAEAWP:E
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 基本部件号
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 电源电流
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 地址总线宽度
- 密度
- 同步/异步
- 字长
- 编程电压
- 页面尺寸
- 长度
- 座位高度(最大)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- SLC NAND Flash Parallel 3.3V 8Gbit 1G x 8bit 48-Pin TSOP-I6 WeeksTin表面贴装表面贴装48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)48Non-Volatile-40°C~85°C TABulk2008yes活跃3 (168 Hours)482.7V~3.6VDUAL13.3V0.5mmMT29F8G083.3V3.6V2.7V8Gb 1G x 835mAFLASHParallel1GX8831b8 GbAsynchronous8b2.7V4kB18.4mm1.2mm无ROHS3 Compliant------
- SLC NAND Flash Parallel 3.3V 1Gbit 128M x 8bit6 Weeks-表面贴装表面贴装48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)48Non-Volatile0°C~70°C TATray2013-活跃3 (168 Hours)482.7V~3.6VDUAL13.3V0.5mmMT29F1G083.3V3.6V2.7V1Gb 128M x 835mAFLASHParallel128MX8828b1 GbAsynchronous8b2.7V2kB18.4mm1.2mm无ROHS3 Compliante33A991.B.1.A哑光锡8542.32.00.5126030
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT29F1G08ABAEAWP:E | Micron Technology Inc. | 存储器 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | SLC NAND Flash Parallel 3.3V 1Gbit 128M x 8bit | 对比 |
![]() | SST39VF3201-70-4C-EKE | Microchip Technology | 存储器 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | MICROCHIP - SST39VF3201-70-4C-EKE - IC, 32M FLASH MEMORY, 2KWORD SECTOR | 对比 |
![]() | SST39VF1681-70-4I-EKE | Microchip Technology | 存储器 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | MEMORY, FLASH, 16MBIT, B/B, 48TSOP | 对比 |





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